Now showing items 1-1 of 1

    • Геттерирование кислорода на захороненный дефектный слой, созданный имплантацией водорода 

      Францкевич, А. В.; Францкевич, Н. В.; Журавкевич, Е. В.; Федотов, А. К.; Мазаник, А. В.; Рау, Э. И.; Сеннов, Р. А. (Наука, 2004)
      Полученный способом Чохральского кремний, после имплантации водородом или гелием с энергией 100 кэВ и дозами (2-4) • 10^16 см^-2, обрабатывался в кислородной плазме постоянного разряда при температурах 250 или 500°С, а затем отжигался в вакууме в течение 4 ч при температурах 250 или 500°С. Методом масс-спектрометрии вторичных ионов обнаружено накопление кислорода на глубине ...
      2016-12-16